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【竞价采购】超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购竞价公告
发布时间：2026-08-08
作者：
浏览次数：
项目名称
超宽禁带半导体与光电器件团队2英寸铂铑坩埚采购
项目编号
武纺大采-JC-2026-0026
采购单位
武汉纺织大学
采购预算（元）
￥199,900.00
采购项目经办人
登录后在报价页面查看
联系方式
登录后在报价页面查看
是否本地化服务
否
售后服务
无
供应商响应须知
请供应商上传一份正式的书面报价文件，签名并加盖公章，包含技术参数、付款方式、服务要求等内容，若有其他附件也可上传。
付款条款
货到验收合格后一次性支付全款
送货/施工/服务期限
合同生效之日起14日内
送货/施工/服务地址
湖北省武汉市江夏区阳光大道1号
采购清单
1
采购内容
是否进口
是否限定品牌型号
参考品牌及型号一
参考品牌及型号二
参考品牌及型号三
参考品牌及型号（其他）
采购数量
计量单位
预算单价（元）
预算合计（元）
2英寸铂铑坩埚
否
否
不限定品牌型号
不限定品牌型号
不限定品牌型号
不限定品牌型号
1
个
199900
199900
技术参数要求
1、材质：Pt:Rh=80:20（铑含量20 wt%），熔点 >1850℃，满足氧化镓生长高温要求； 2、坩埚内径55mm，等径高度90mm，籽晶断长55mm； 3、坩埚重量约189g； 4、坩埚尺寸形状针对VB法氧化镓晶体生长过程进行过温度场模拟仿真优化，满足氧化镓晶体生长需求； 5、供应商有能力提供匹配坩埚尺寸的氧化镓籽晶； 6、机械应力评价：需要提供产品用于VB法氧化镓晶体生长过程中对晶体造成的机械应力仿真分析结果； 7、防漏料措施：通过特殊设计，保证晶体正常生长过程中坩埚不发生泄露； 8、防变形设计：通过特殊设计，保证晶体正常生长过程中坩埚不发生变形； 9、须提供Ga2O3单晶生长验证：同结构、尺寸坩埚经过VB法生长2英寸氧化镓晶体的验证，非理论设计产品，确保坩埚不发生漏料、变形。
采购公告
